TSM60NB099PW C1G
/MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 38A
TSM60NB099PW C1G的规格信息
制造商:Taiwan Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:38 A
Rds On-漏源导通电阻:86 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:62 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:329 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Tube
晶体管类型:N-Channel Power MOSFET
商标:Taiwan Semiconductor
下降时间:25 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:24 ns
工厂包装数量:500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:87 ns
典型接通延迟时间:18 ns
TSM60NB099PW C1G
TSM60NB099PW C1G的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Digi-Key 得捷电子 | TSM60NB099PW C1G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247 | $14.46000 |
 Mouser 贸泽电子 | TSM60NB099PW C1G | Taiwan Semiconductor | MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 38A | 1:¥59.325 10:¥53.4038 25:¥48.6352 50:¥46.4882
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